Рисунок 2.17. Тепловое смещение проходных характеристик БТ
Определяем приращение тока коллектора ΔI>к>02, вызванного изменением обратного (неуправляемого) тока коллектора ΔI>кбо:
ΔI>к>02 = ΔI>кбо·(H>21э + 1),
где приращение обратного тока ΔI>кбо равно:
ΔI>кбо = I>кбо(T>спр)·[exp(αΔT) – 1],
где α — коэффициент показателя, для кремниевых транзисторов α=0,13.
Следует заметить, что значение I>кбо, приводимое в справочной литературе, особенно для транзисторов средней и большой мощности, представляет собой сумму тепловой составляющей и поверхностного тока утечки, последний может быть на два порядка больше тепловой составляющей, и он практически не зависит от температуры. Следовательно, при определении ΔI>к>02 следует пользоваться приводимыми в справочниках температурными зависимостями I>кбо, либо уменьшать справочное значение I>кбо примерно на два порядка (обычно I>кбо для кремниевых транзисторов составляет порядка (n·10>-7…n·10>-6) А, и порядка (n·10>-6…n·10>-5) А для германиевых, n=(1…9).
Приращение коллекторного тока, вызванного изменением H>21э, определяется соотношением:
ΔI>к>03 = H>21э·(I>кбо + I>б0),
где ΔH>21э = k>T·H>21э·ΔT, k>T ≈ 0,005 отн. ед./град.
Полагая, что все факторы действуют независимо друг от друга, запишем:
ΔI>к0 = ΔI>к>01 + ΔI>к>02 + ΔI>к>03.
Для повышения термостабильности каскада применяют специальные схемы питания и термостабилизации. Эффективность таких схем коэффициентом термостабильности, который в общем виде представляется как:
S>T = ΔI>к0 стаб/ΔI>к0.
Учитывая различный вклад составляющих ΔI>к0, разное влияние на них элементов схем термостабилизации, вводят для каждой составляющей свой коэффициент термостабильности, получая выражения для термостабилизированного каскада:
ΔI>к0 стаб = S>T1ΔI>к01+ S>T2ΔI>к02 + S>T3ΔI>к03.
Обычно S>T2≈S>T3, что обусловлено одинаковым влиянием на ΔI>к02 и ΔI>к03 элементов схем термостабилизации:
ΔI>к0 стаб = S>T1ΔI>к01+ S>T>2(ΔI>к02 + ΔI>к>03).
Полученная формула может быть использована для определения ΔI>к0 усилительного каскада при любой схеме включения в нем БТ.
Рассмотрим основные схемы питания и термостабилизации БТ.
Термостабилизация фиксацией тока базы. Схема каскада представлена на рисунке 2.18.
Рисунок 2.18. Каскад с фиксацией тока базы
R>б определяется соотношением:
т.к. E>к>>U>бэ>0.
Очевидно, что I>б>0 "фиксируется" выбором R>б, при этом ослабляется влияние первого фактора нестабильности тока коллектора (за счет смещения проходных характеристик). Коэффициенты термостабилизации для этой схемы таковы:
Отсюда видно, что данная схема имеет малую эффективность термостабилизации (S>T2≈1).
Коллекторная термостабилизация. Схема каскада представлена на рисунке 2.19а.
Рисунок 2.19. Каскад с коллекторной термостабилизацией (а) и его варианты (б, в)
R>б определяется соотношением:
т.к. U>к>0>>U>б>0.
Термостабилизация в этой схеме осуществляется за счет отрицательной обратной связи (ООС), введенной в каскад путем включения R>б между базой и коллектором БТ. Механизм действия ООС можно пояснить следующей диаграммой:
T>⇑⇒I>⇑>к0⇒U>⇓>к0⇒I>⇓>б0⇒I>⇓>к0,
↑←←←←петля ООС ←←←←↓
где символами ⇑ и ⇓ показано, соответственно, увеличение и уменьшение соответствующего параметра. Коэффициенты термостабилизации для этой схемы: