τ_>н2 = C_>р2(R_>к + R_>н).

Выражения для относительного коэффициента передачи и коэффициента частотных искажений в области НЧ таковы:

φ_>н = –arctg ωτ_>н,

M_>н = 1/Y_>вн

и в комментариях не нуждаются. По этим выражениям оценивается влияние конкретной цепи на АЧХ и ФЧХ каскада в области НЧ.

Связь между коэффициентом частотных искажений и нижней граничной частотой выражается формулой

Аналогичным образом учитывается влияние других разделительных и блокировочных цепей, только для блокировочной эмиттерной цепи постоянная времени приблизительно оценивается величиной τ_>нэ≈C_>э/S_>0 т.к. сопротивление БТ со стороны эмиттера приблизительно равно 1/S_>0 (см. подраздел 2.4.1), а влиянием R_>э в большинстве случаев можно пренебречь, т.к. обычно 1/S_>0<<R_>э.

Результирующую АЧХ и ФЧХ каскада в области НЧ можно построить, используя уже упоминавшийся принцип суперпозиции.

В n-каскадном усилителе с одинаковыми каскадами наблюдается эффект сужения полосы рабочих частот, который в области НЧ можно скомпенсировать уменьшением нижней граничной частоты каскадов до

Параметры БТ в значительной мере подвержены влиянию внешних факторов (температуры, радиации и др.). В то же время, одним из основных параметров усилительного каскада является его стабильность. Прежде всего, важно, чтобы в усилителе обеспечивался стабильный режим покоя.

Проанализируем вопрос влияния температуры на стабильность режима покоя БТ, конкретно — I_>к>0.

Существуют три основных фактора, влияющих на изменении I_>к>0 под действием температуры: при увеличении температуры, во-первых, увеличивается напряжение U_>бэ>0, во-вторых, обратный ток коллекторного перехода I_>кбо, и, в третьих, возрастает коэффициент H_>21э.

Рисунок 2.16. Тепловая модель БТ

Для анализа реальный транзистор можно представить в виде идеального, у которого параметры не зависят от температуры, а температурную зависимость смоделировать включением внешних источников напряжения и тока (рисунок 2.16).

 Рассмотрим влияние этих факторов на приращение тока коллектора ΔI_>к>0. Начнем с влияния изменения U_>бэ>0, вызванного тепловым смещением проходных характеристик I_>к=f(U_>бэ), обозначив при этом приращение тока коллектора как ΔI_>к>01:

ΔI_>к>01 = S_>0·ΔU_>бТ ,

где ΔU_>бТ — приращение напряжения U_>бэ>0, равное:

ΔU_>бТ = |ε^>T|·ΔТ,

где ε^>T — температурный коэффициент напряжения (ТКН),

ε^>T ≈ –3мВ/град., ΔТ — разность между температурой коллекторного перехода перехода T_>пер и справочным значением этой температуры T_>спр (обычно 25°C):

ΔТ = T_>пер – T_>спр,

T_>пер = T_>сред + P_>кR_>T,

где P_>к и R_>T соответственно, мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе в статическом режиме, и тепловое сопротивление “переход-среда”:

P_>к = I_>к>0·U_>к>0,

Ориентировочное значение теплового сопротивления зависит от конструкции корпуса транзистора и обычно для транзисторов малой и средней мощности лежит в следующих пределах:

R_>T = (0,1…0,5) град./мВт.

Меньшее тепловое сопротивление имеют керамические и металлические корпуса, большее — пластмассовые.

Отметим, что ΔI_>к>01 берется положительным, хотя ε^>T имеет знак минус, это поясняется на рисунке 2.17.