×
Traktatov.net » Последнее обращение к человечеству » Читать онлайн
Страница 127 из 155 Настройки

При соединении атомов в молекулы или при создании из атомов кристаллической решётки, электронные облака разных атомов создают общие системы, которые более устойчивы. При этом систему образуют два электрона, имеющие так называемые, разные спины. Это связано с разным типом искривления мерности микрокосмоса, что приводит к прогибу пространства как в одну, так и в другую сторону относительно нулевого (балансного) уровня.

Электронные структуры соседних атомов сливаются в единую замкнутую систему. Наружные электронные оболочки отдельных атомов не заполнены до баланса. Если атом имеет нечётное число «наружных» электронов, то атом — неустойчив. Когда атомы соединяются в единую систему, каждые два атома отдают по одному «свободному» электрону для образования общей устойчивой системы. Условно электрон, движущийся по часовой стрелке вокруг ядра, определяется, как имеющий положительный спин, а движущийся против часовой стрелки — отрицательный спин (см. Рис. 146, Рис. 146а, Рис. 147).



Рис. 146отрицательный спин электрона. Движение сгустка материи в краевой зоне искривления пространства первого типа.

1. Электрон.

3. Краевая зона искривления пространства первого типа. 




Рис. 146аположительный спин электрона. Движение сгустка материи в краевой зоне искривления пространства второго типа.

2. Электрон.

4. Краевая зона искривления пространства второго типа.



Рис. 147образование электронной пары при соединении атомов в молекулы.

1. Электрон, имеющий отрицательный спин.

2. Электрон, имеющий положительный спин.

3. Краевая зона искривления первого типа.

4. Краевая зона искривления второго типа.


Соединяясь в молекулы, создавая кристаллические решётки, атомы переходят в более устойчивое состояние. Особенно интересны создаваемые атомами кристаллические решётки. Разные типы кристаллических решёток, имеющие особенности электронных систем, образуют собой три группы: проводники, полупроводники и изоляторы. Различие свойств связано со степенью устойчивости электронных структур.

У проводников общие электронные системы нестабильны, постоянно образуются и распадаются. Вся такая система постоянно находится в движении, правда это движение хаотично. Если тем или иным способом создать направленное воздействие на проводники (приложить напряжение), возникает электрический ток.

Но, что самое интересное, электроны не двигаются в проводнике. Внешнее воздействие (поле) увеличивает степень неустойчивости электронов, они распадаются и материи, их образующие, перетекают на эфирный уровень, где продолжают подвергаться воздействию внешнего поля. Внешнее поле вынуждает перетекать эти материи в определённом направлении (внешнее воздействие [поле] влияет на мерность микрокосмоса атомов, что и приводит к перетеканию материй на эфирный план).

При таком вынужденном перетекании эти материи теряют часть своей энергии, что приводит к новому слиянию материи в очередной зоне искривления микрокосмоса атомов. Электрон вновь синтезируется. Таким образом, движение электронов вдоль проводника есть периодическое перетекание материй, их образующих, с физического уровня на эфирный и обратно.